碳化硅陶瓷燒結工藝主要有無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結這四種。其作用如下：
　　采用無壓燒結工藝可以制備出復雜形狀和大尺寸的SiC部件，因此，被認為是SiC陶瓷的燒結方法。
　　采用熱壓燒結工藝只能制備簡單形狀的SiC部件，而且一次熱燒結過程所制備的產品數量很小，因而，不利于商業化生產。
　　采用熱等靜壓工藝可以獲得復雜形狀的SiC制品，但對素坯進行包封，所以，也很難實現工業化生產。
　　通過反應燒結工藝可以制備出復雜形狀的SiC部件，而且其燒結溫度較低，但是，反應燒結SiC陶瓷的高溫性能較差。
　　碳化硅陶瓷的性能因燒結法的不同而不同，下面就為大家分享下無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結中碳化硅陶瓷的性能。